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GermanyJANSD2N3439UA
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
JANSD2N3439UA
Explicación
TRANS NPN 350V 1A UA
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Surface Mount UA
Fabricación
Microchip Technology
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microchip Technology
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
2µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Power - Max
800 mW
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grade
Military
Qualification
MIL-PRF-19500/368
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
4-SMD, No Lead
Supplier Device Package
UA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Microchip Technology JANSD2N3439UA
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Assembly Site 31/Jan/2024)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-