English
China
Rusia
Italy
GermanySSI4N60BTU
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SSI4N60BTU
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 600 V 4A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
634
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-SSI4N60BTU
FAIFSCSSI4N60BTU
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor SSI4N60BTU
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 634
Precio unitario: $0.47
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 634
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 634
Alternativas
-