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GermanyBUZ32
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BUZ32
Explicación
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Package / Case
TO-220-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-BUZ32-IT
INFINFBUZ32
BUZ32-ND
SP000011345
BUZ32X
BUZ32IN
BUZ32XK
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BUZ32
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BUZ32)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(BUZ32)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Cantidad disponible : 429
Precio unitario : $2.16000
Tipo de reemplazo : Direct
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Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.46462
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