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GermanyFF11MR12W1M1B11BOMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FF11MR12W1M1B11BOMA1
Explicación
MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
Descripción detallada
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A Chassis Mount Module
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
24
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolSiC™+
Package
Tray
Product Status
Obsolete
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 40mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7950pF @ 800V
Power - Max
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
FF11MR12
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-FF11MR12W1M1B11BOMA1
INFINFFF11MR12W1M1B11BOMA1
FF11MR12W1M1_B11
SP001602204
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies FF11MR12W1M1B11BOMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FF11MR12W1M1_B11)
Featured Product
1(Industrial Drives)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev LDD Rev 23/Dec/2022)
HTML Datasheet
1(FF11MR12W1M1_B11)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-