English
China
Rusia
Italy
GermanyPDTC123TMB,315
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PDTC123TMB,315
Explicación
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
11,181
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 20mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
Frequency - Transition
230 MHz
Power - Max
250 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-101, SOT-883
Supplier Device Package
DFN1006B-3
Base Product Number
PDTC123
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
NEXNXPPDTC123TMB,315
2156-PDTC123TMB,315
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/NXP USA Inc. PDTC123TMB,315
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PDTC123TMB,315 Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 11181
Precio unitario: $0.03
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 11181
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 11181
Alternativas
-