English
China
Rusia
Italy
GermanySTB21NM50N
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
STB21NM50N
Explicación
MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 500 V 18A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
STMicroelectronics
Series
MDmesh™ II
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
STB21N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
1026-STB21NM50N
497-5783-6
STB21NM50N-ND
497-5783-1
497-5783-2
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STB21NM50N
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(STx21NM50N(-1))
HTML Datasheet
1(STx21NM50N(-1))
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SPB21N50C3ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 2,928
Precio unitario : $372.22000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 2,928
Precio unitario : $372.22000
Tipo de reemplazo : Similar