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GermanyNTD6600N-001
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NTD6600N-001
Explicación
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 100 V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
146mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
-
Package / Case
-
Base Product Number
NTD66
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD6600N-001
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NTD6600N)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 20/Aug/2008)
HTML Datasheet
1(NTD6600N)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : PHT6NQ10T,135
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 4,949
Precio unitario : $0.83000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 4,949
Precio unitario : $0.83000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : STD10NF10T4
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 12,913
Precio unitario : $1.30000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 12,913
Precio unitario : $1.30000
Tipo de reemplazo : Similar