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GermanyFZ1200R12KF4NOSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FZ1200R12KF4NOSA1
Explicación
IGBT MODULE 1200V 1200A
Descripción detallada
IGBT Module Single Switch 1200 V 1200 A 7800 W Chassis Mount
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
IHM-B
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Single Switch
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
1200 A
Power - Max
7800 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 1.2kA
Current - Collector Cutoff (Max)
16 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
90 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
-
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-FZ1200R12KF4NOSA1-448
SP000100511
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies FZ1200R12KF4NOSA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FZ1200R12KF4)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(FZ1200R12KF4)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FZ1200R12HE4HOSA2
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $625.17000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $625.17000
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