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GermanyAOK18N65L
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
AOK18N65L
Explicación
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Descripción detallada
N-Channel 650 V 18A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247
Fabricación
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
240
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3785 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
417W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
AOK18
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
785-1456-5-ND
AOK18N65L-ND
AOK18N65
5202-AOK18N65L
785-1456-5
785-1589-5
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK18N65L
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(AOK18N65(L))
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()
PCN Obsolescence/ EOL
()
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1(Mult Dev Assem/Test Chg 19/Jul/2018)
Product Drawings
1(TO247 Pkg Drawing)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Cantidad disponible : 0
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Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 30
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