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GermanyIPD70R950CEAUMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD70R950CEAUMA1
Explicación
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 700 V 7.4A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
328 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
IPD70
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPD70R950CEAUMA1CT
IPD70R950CEAUMA1DKR
SP001466970
2156-IPD70R950CEAUMA1
ROCINFIPD70R950CEAUMA1
IPD70R950CEAUMA1-ND
IPD70R950CEAUMA1TR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD70R950CEAUMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx70R950CE)
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1(Part Number Guide)
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(IPx70R950CE)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 700V CE Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Fabricante : Infineon Technologies
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Modelo de producto : STD9N80K5
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Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 58
Precio unitario : $1.35000
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