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GermanyTRS6E65C,S1AQ
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
TRS6E65C,S1AQ
Explicación
DIODE SIL CARB 650V 6A TO220-2L
Descripción detallada
Diode 650 V 6A Through Hole TO-220-2L
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Current - Average Rectified (Io)
6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.7 V @ 6 A
Speed
No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
90 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr, F
35pF @ 650V, 1MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220-2L
Operating Temperature - Junction
175°C (Max)
Base Product Number
TRS6E65
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Otros nombres
TRS6E65C,S1Q
TRS6E65CS1Q-ND
TRS6E65C,S1AQ(S
TRS6E65CS1AQ(S
TRS6E65CS1AQ
TRS6E65CS1Q
TRS6E65C,S1Q(S
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65C,S1AQ
Documentos y medios de comunicación
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 18/Oct/2018)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : TRS6E65F,S1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $2.70000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $2.70000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : NXPSC066506Q
Fabricante : WeEn Semiconductors
Cantidad disponible : 3,000
Precio unitario : $3.53000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 3,000
Precio unitario : $3.53000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent