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GermanyGPA806HC0G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
GPA806HC0G
Explicación
DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
Descripción detallada
Diode 800 V 8A Through Hole TO-220AC
Fabricación
Taiwan Semiconductor Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
GPA806HC0G Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
Technology
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
800 V
Current - Average Rectified (Io)
8A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
1.1 V @ 8 A
Speed
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 800 V
Capacitance @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-2
Supplier Device Package
TO-220AC
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 150°C
Base Product Number
GPA806
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Taiwan Semiconductor Corporation GPA806HC0G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(GPA801 - GPA807)
Environmental Information
()
EDA Models
1(GPA806HC0G Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : NS8KT-E3/45
Fabricante : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Cantidad disponible : 702
Precio unitario : $0.86000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 702
Precio unitario : $0.86000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent