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GermanyIRLZ44NLPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRLZ44NLPBF
Explicación
MOSFET N-CH 55V 47A TO262
Descripción detallada
N-Channel 55 V 47A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001577060
*IRLZ44NLPBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLZ44NLPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRLZ44NS/L)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-