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GermanyIRD3CH9DB6
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRD3CH9DB6
Explicación
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
Descripción detallada
Diode 1200 V 10A Surface Mount Die
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Technology
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Current - Average Rectified (Io)
10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
2.7 V @ 10 A
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
154 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
200 nA @ 1200 V
Capacitance @ Vr, F
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Operating Temperature - Junction
-40°C ~ 150°C
Base Product Number
IRD3CH9
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Infineon Technologies IRD3CH9DB6
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRD3CH9DB6)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
HTML Datasheet
1(IRD3CH9DB6)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-