English
China
Rusia
Italy
GermanyCP147-MJ11016-WN
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
CP147-MJ11016-WN
Explicación
TRANS NPN DARL 120V 30A DIE
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 30 A 4MHz 200 W Surface Mount Die
Fabricación
Central Semiconductor Corp
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Central Semiconductor Corp
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 300mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 20A, 5V
Power - Max
200 W
Frequency - Transition
4MHz
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Central Semiconductor Corp CP147-MJ11016-WN
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(CP147-MJ11016)
Environmental Information
1(RoHS Cert)
PCN Obsolescence/ EOL
1(CP147 20/Jan/2020)
HTML Datasheet
1(CP147-MJ11016)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : CP247-MJ11016-WN
Fabricante : Central Semiconductor Corp
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $0.00000
Tipo de reemplazo : Similar