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GermanyIPC80N04S403ATMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPC80N04S403ATMA1
Explicación
MOSFET N-CH 40V 80A TDSON-8-23
Descripción detallada
N-Channel 40 V 80A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-23
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
5,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5720 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-23
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
IPC80N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-IPC80N04S403ATMA1
INFINFIPC80N04S403ATMA1
SP001138828
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPC80N04S403ATMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPC80N04S4-03)
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HTML Datasheet
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Cantidad y precio
-
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