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GermanyIRFH6200TR2PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFH6200TR2PBF
Explicación
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN
Descripción detallada
N-Channel 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
400
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
230 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10890 pF @ 10 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IRFH6200TR2PBFTR
IRFH6200TR2PBFDKR
IRFH6200TR2PBFCT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH6200TR2PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFH6200PBF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(Discrete Power MOSFETs 40V and Below)
Environmental Information
1(PQFN 5x6 RoHS Compliance)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFH6200PBF)
Simulation Models
1(IRFH6200TR2PBF Saber Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : SIR404DP-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 28,147
Precio unitario : $1.94000
Tipo de reemplazo : Similar
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