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GermanyIPD90N06S405ATMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD90N06S405ATMA1
Explicación
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 60 V 90A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 60µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
107W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3-11
Package / Case
-
Base Product Number
IPD90
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPD90N06S405ATMA1TR
SP000481510
IPD90N06S4-05
IPD90N06S4-05-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD90N06S405ATMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPD90N06S4-05)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019)
PCN Packaging
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPD90N06S405ATMA2
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.57000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $1.57000
Tipo de reemplazo : Direct