GT60N321(Q)

Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante

GT60N321(Q)

Explicación

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Descripción detallada

IGBT 1000 V 60 A 170 W Through Hole TO-3P(LH)

Fabricación

Toshiba Semiconductor and Storage

Plazo de entrega estándar

Modelo edacad

GT60N321(Q) Models

Embalaje estándar

Inventario de proveedores

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Atributos del producto

Mfr

Toshiba Semiconductor and Storage

Series

-

Package

Tube

Product Status

Obsolete

IGBT Type

-

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1000 V

Current - Collector (Ic) (Max)

60 A

Current - Collector Pulsed (Icm)

120 A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 60A

Power - Max

170 W

Switching Energy

-

Input Type

Standard

Td (on/off) @ 25°C

330ns/700ns

Test Condition

-

Reverse Recovery Time (trr)

2.5 µs

Operating Temperature

150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-3PL

Supplier Device Package

TO-3P(LH)

Base Product Number

GT60N321

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q)

Documentos y medios de comunicación

PCN Obsolescence/ EOL

1(EOL 08/Nov/2013)

EDA Models

1(GT60N321(Q) Models)

Cantidad y precio

-

Alternativas

-

3M CM592 7 X 8-10 ESM08DTAI-S189 CSKO16126 CWR09KH156KC JANS1N4125CUR-1/TR

GT60N321(Q)

Resumen del número de pieza

Atributos del producto

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Otros nombres

Categoría

Documentos y medios de comunicación

Cantidad y precio

Alternativas

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