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GermanyIRLR3717PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRLR3717PBF
Explicación
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 20 V 120A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2830 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
89W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001568638
2156-IRLR3717PBF
*IRLR3717PBF
INFINFIRLR3717PBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLR3717PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRLR3717PbF, IRLU3717PbF)
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1(Part Number Guide)
Product Training Modules
()
Design Resources
1(IRLR3717PBF Saber Model)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRLR3717PbF, IRLU3717PbF)
Simulation Models
1(IRLR3717PBF Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Fabricante : STMicroelectronics
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Fabricante : STMicroelectronics
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Precio unitario : $1.41000
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