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GermanyFDMS3660AS
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDMS3660AS
Explicación
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Descripción detallada
Mosfet Array 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 15V
Power - Max
1W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerTDFN
Supplier Device Package
Power56
Base Product Number
FDMS3660
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
FDMS3660ASDKR
FDMS3660ASCT
2832-FDMS3660ASTR
FDMS3660ASTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/onsemi FDMS3660AS
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDMS3660AS)
Video File
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
Environmental Information
()
Featured Product
1(Cloud Systems Computing)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Assembly 11/Mar/2020)
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : NTMFD4C20NT1G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 3
Precio unitario : $2.09000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3
Precio unitario : $2.09000
Tipo de reemplazo : Similar