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GermanyBSM100GB120DN2HOSA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSM100GB120DN2HOSA1
Explicación
IGBT MOD 1200V 150A 800W
Descripción detallada
IGBT Module Half Bridge 1200 V 150 A 800 W Chassis Mount Module
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
150 A
Power - Max
800 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 100A
Current - Collector Cutoff (Max)
2 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
6.5 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM100
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSM100GB120DN2
SP000100720
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies BSM100GB120DN2HOSA1
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : FF200R12KE4HOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 36
Precio unitario : $129.79000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended
Cantidad disponible : 36
Precio unitario : $129.79000
Tipo de reemplazo : MFR Recommended