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GermanyFQP2N30
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQP2N30
Explicación
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 300 V 2.1A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQP2N30 Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
130 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
40W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
FQP2
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQP2N30
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQP2N30)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
()
EDA Models
1(FQP2N30 Models)
Product Drawings
1(TO220B03 Pkg Drawing)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : STP12NK30Z
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 508
Precio unitario : $2.50000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 508
Precio unitario : $2.50000
Tipo de reemplazo : Similar