English
China
Rusia
Italy
GermanyIRFU4105ZPBF-IR
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFU4105ZPBF-IR
Explicación
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Fabricación
International Rectifier
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
717
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
740 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
48W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK (TO-251AA)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
IFEIRFIRFU4105ZPBF
2156-IRFU4105ZPBF-IR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier IRFU4105ZPBF-IR
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFR4105ZPBF)
Cantidad y precio
Cantidad: 717
Precio unitario: $0.42
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 717
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 717
Alternativas
-