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GermanyCP327V-MPSA13-WN
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
CP327V-MPSA13-WN
Explicación
TRANS NPN DARL 30V 0.5A DIE
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 500 mA 125MHz Surface Mount Die
Fabricación
Central Semiconductor Corp
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Central Semiconductor Corp
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition
125MHz
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
CP327
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Central Semiconductor Corp CP327V-MPSA13-WN
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(CP327V-MPSA13)
Environmental Information
1(RoHS Cert)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-