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GermanyIRFBC20
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFBC20
Explicación
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 600 V 2.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
IRFBC20 Models
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRFBC20
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFBC20
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Packaging Information)
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015)
HTML Datasheet
1(IRFBC20)
EDA Models
1(IRFBC20 Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFBC20PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 7,810
Precio unitario : $1.35000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 7,810
Precio unitario : $1.35000
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : IRFBC20PBF-BE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 975
Precio unitario : $1.35000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 975
Precio unitario : $1.35000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent