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GermanyIRF730
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF730
Explicación
N-CHANNEL, MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
243
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Harris Corporation
Series
PowerMESH™ II
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
100W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
IRF7
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
2156-IRF730
HARHARIRF730
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation IRF730
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF730)
Cantidad y precio
Cantidad: 243
Precio unitario: $1.24
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 243
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 243
Alternativas
-