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GermanyIRFB59N10DPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFB59N10DPBF
Explicación
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 100 V 59A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2450 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
*IRFB59N10DPBF
SP001560232
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFB59N10DPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF(B,S.SL)59N10DPbF)
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HTML Datasheet
1(IRF(B,S.SL)59N10DPbF)
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1(IRFB59N10DPBF Saber Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Modelo de producto : PHP18NQ10T,127
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