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Germany2N4250A
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2N4250A
Explicación
TRANS PNP 60V TO126
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 200 mW Through Hole TO-126
Fabricación
Central Semiconductor Corp
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
2N4250A Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Central Semiconductor Corp
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 100µA, 5V
Power - Max
200 mW
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Central Semiconductor Corp 2N4250A
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
1(RoHS Cert)
PCN Obsolescence/ EOL
1(EOL 01/Feb/2017)
EDA Models
1(2N4250A Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : MJE210G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 3,077
Precio unitario : $0.87000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 3,077
Precio unitario : $0.87000
Tipo de reemplazo : Similar