Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
MMDF3N02HDR2G
Explicación
MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
Descripción detallada
N-Channel 20 V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
MMDF3N02HDR2G Models
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
630 pF @ 16 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
MMDF3

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

=MMDF3N02HDR2GOSCT-ND
2156-MMDF3N02HDR2G-ONTR-ND
MMDF3N02HDR2GOSCT
2156-MMDF3N02HDR2G
MMDF3N02HDR2GOSTR
MMDF3N02HDR2G-ND

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi MMDF3N02HDR2G

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(MMDF3N02HD)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 14/Apr/2010)
HTML Datasheet
1(MMDF3N02HD)
EDA Models
1(MMDF3N02HDR2G Models)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : NTMD6N02R2G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 9,878
Precio unitario : $0.85000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : IRF7103TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 10,875
Precio unitario : $0.93000
Tipo de reemplazo : Similar