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GermanyRFG40N10
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
RFG40N10
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 100 V 40A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
198
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
160W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
RFG40
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-RFG40N10-HC
HARHARRFG40N10
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation RFG40N10
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 198
Precio unitario: $1.52
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 198
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 198
Alternativas
-