NE3508M04-A

Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante

NE3508M04-A

Explicación

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM

Descripción detallada

RF Mosfet 2 V 10 mA 2GHz 14dB 18dBm F4TSMM, M04

Fabricación

CEL

Plazo de entrega estándar

Modelo edacad

Embalaje estándar

1

Inventario de proveedores

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Atributos del producto

Mfr

CEL

Series

-

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

Technology

GaAs HJ-FET

Frequency

2GHz

Gain

14dB

Voltage - Test

2 V

Current Rating (Amps)

120mA

Noise Figure

0.45dB

Current - Test

10 mA

Power - Output

18dBm

Voltage - Rated

4 V

Package / Case

SOT-343F

Supplier Device Package

F4TSMM, M04

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/CEL NE3508M04-A

Documentos y medios de comunicación

Datasheets

1(RF Wireless Brochure)

PCN Obsolescence/ EOL

()

PCN Design/Specification

1(Wafer Fab Chg 08/Jan/2016)

HTML Datasheet

1(NE3508M04)

Cantidad y precio

-

Alternativas

-

Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#

NE3508M04-A

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Atributos del producto

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Otros nombres

Categoría

Documentos y medios de comunicación

Cantidad y precio

Alternativas

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