Última actualización
20250806
Idiomas
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Información de la industria
Consulta de inventario
MT29F2G08ABAEAM69A3WC1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
MT29F2G08ABAEAM69A3WC1
Explicación
IC FLASH 2GBIT PARALLEL DIE
Descripción detallada
FLASH - NAND Memory IC 2Gbit Parallel Die
Fabricación
Micron Technology Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
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Atributos del producto
Mfr
Micron Technology Inc.
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Non-Volatile
Memory Format
FLASH
Technology
FLASH - NAND
Memory Size
2Gbit
Memory Organization
256M x 8
Memory Interface
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page
-
Voltage - Supply
2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
Die
Supplier Device Package
Die
Base Product Number
MT29F2G08
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAM69A3WC1
Documentos y medios de comunicación
PCN Packaging
1(Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-
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