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GermanyIRLU3636PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRLU3636PBF
Explicación
IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Descripción detallada
N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Through Hole IPAK
Fabricación
International Rectifier
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
278
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3779 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
143W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Otros nombres
INFIRFIRLU3636PBF
2156-IRLU3636PBF
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier IRLU3636PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 278
Precio unitario: $1.08
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 278
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 278
Alternativas
-