English
China
Rusia
Italy
GermanyTIP33AG
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
TIP33AG
Explicación
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 10 A 3MHz 80 W Through Hole SOT-93 (TO-218)
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
592
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 2.5A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max)
700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 1A, 4V
Power - Max
80 W
Frequency - Transition
3MHz
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-218-3
Supplier Device Package
SOT-93 (TO-218)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
ONSONSTIP33AG
2156-TIP33AG
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi TIP33AG
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(TIP33(A,C))
HTML Datasheet
1(TIP33(A,C))
Cantidad y precio
Cantidad: 592
Precio unitario: $0.51
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 592
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 592
Alternativas
-