English
China
Rusia
Italy
GermanySUP40P10-43-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SUP40P10-43-GE3
Explicación
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
Descripción detallada
P-Channel 100 V 36A (Tc) 2W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
43mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SUP40
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SUP40P10-43-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Packaging Information)
PCN Obsolescence/ EOL
1(SIL-0632014 16/Apr/2014)
HTML Datasheet
1(SUP40P10-43)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRF5210PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 2,832
Precio unitario : $2.41000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 2,832
Precio unitario : $2.41000
Tipo de reemplazo : Similar