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GermanySPP80N06S2L-06
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SPP80N06S2L-06
Explicación
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descripción detallada
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 69A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 180µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5050 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SPP80N
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP000013576
SPP80N06S2L06
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPP80N06S2L-06
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SP(P,B)80N06S2L-06)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SP(P,B)80N06S2L-06)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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Fabricante : onsemi
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Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
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