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GermanyNTMSD2P102R2
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NTMSD2P102R2
Explicación
MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
Descripción detallada
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 16 V
FET Feature
Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOIC
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Product Number
NTMSD2
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
ONSONSNTMSD2P102R2
2156-NTMSD2P102R2
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTMSD2P102R2
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 30/Jun/2006)
PCN Design/Specification
1(Copper Wire 12/May/2009)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-