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GermanySIHP105N60EF-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIHP105N60EF-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
21 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
EF
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1804 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
SIHP105
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHP105N60EF-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SIHP105N60EF)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019)
HTML Datasheet
1(SIHP105N60EF)
Cantidad y precio
Cantidad: 1000
Precio unitario: $2.67192
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1000
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1000
Alternativas
Modelo de producto : SIHG105N60EF-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 463
Precio unitario : $4.16000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 463
Precio unitario : $4.16000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent