English
China
Rusia
Italy
GermanyNTHS5445T1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NTHS5445T1
Explicación
MOSFET P-CH 8V 5.2A CHIPFET
Descripción detallada
P-Channel 8 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
ChipFET™
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Base Product Number
NTHS54
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
NTHS5445T1OS
2156-NTHS5445T1
ONSONSNTHS5445T1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTHS5445T1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NTHS5445T1)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 25/Jul/2003)
HTML Datasheet
1(NTHS5445T1)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-