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GermanyR6025FNZ1C9
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
R6025FNZ1C9
Explicación
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Descripción detallada
N-Channel 600 V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
R6025FNZ1C9 Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
R6025
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor R6025FNZ1C9
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(R6025FNZ1C9)
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()
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(R60YYY 05/Mar/2020)
EDA Models
1(R6025FNZ1C9 Models)
Simulation Models
1(R6025FNZ1 Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : R6025JNZ4C13
Fabricante : Rohm Semiconductor
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Precio unitario : $9.15000
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