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GermanySIHH100N60E-T1-GE3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
SIHH100N60E-T1-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
Descripción detallada
N-Channel 600 V 28A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
28 Weeks
Modelo edacad
SIHH100N60E-T1-GE3 Models
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
E
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1850 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
174W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 8 x 8
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
SIHH100
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SIHH100N60E-T1-GE3DKR
SIHH100N60E-T1-GE3TR
SIHH100N60E-T1-GE3CT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHH100N60E-T1-GE3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(SIHH100N60E)
HTML Datasheet
1(SIHH100N60E)
EDA Models
1(SIHH100N60E-T1-GE3 Models)
Cantidad y precio
Cantidad: 3000
Precio unitario: $3.44327
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 3000
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 3000
Alternativas
-