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GermanyTPC8207(TE12L,Q)
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
TPC8207(TE12L,Q)
Explicación
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8SOP
Descripción detallada
Mosfet Array 20V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Fabricación
Toshiba Semiconductor and Storage
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 4.8A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2010pF @ 10V
Power - Max
450mW
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Supplier Device Package
8-SOP (5.5x6.0)
Base Product Number
TPC8207
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
TPC8207TE12LQ
TPC8207TR-NDR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Toshiba Semiconductor and Storage TPC8207(TE12L,Q)
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
()
HTML Datasheet
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
-