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GermanyIRLR024ZPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRLR024ZPBF
Explicación
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 55 V 16A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
IRLR024ZPBF Models
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.9 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
380 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
35W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
*IRLR024ZPBF
SP001574034
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLR024ZPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRLR024ZPbF, IRLU024ZPbF)
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Featured Product
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Cantidad y precio
-
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