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GermanyIXFQ80N25X3
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXFQ80N25X3
Explicación
MOSFET N-CH 250V 80A TO3P
Descripción detallada
N-Channel 250 V 80A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-3P
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
47 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
30
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X3
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5430 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
390W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
IXFQ80
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFQ80N25X3
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXFx80N25X3 Datasheet)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Design/Specification
1(Multiple Devices Material 23/Jun/2020)
Cantidad y precio
Cantidad: 300
Precio unitario: $9.16803
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 300
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 300
Alternativas
-