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GermanyFPF2C8P2NL07A
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FPF2C8P2NL07A
Explicación
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Descripción detallada
IGBT Module Field Stop Three Phase 650 V 30 A 135 W Chassis Mount F2
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
IGBT Type
Field Stop
Configuration
Three Phase
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Power - Max
135 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 30A
Current - Collector Cutoff (Max)
250 µA
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
F2 Module
Supplier Device Package
F2
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Otros nombres
2156-FPF2C8P2NL07A
FAIFSCFPF2C8P2NL07A
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Fairchild Semiconductor FPF2C8P2NL07A
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FPF2C8P2NL07A Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 4
Precio unitario: $81.42
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 4
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 4
Alternativas
-