English
China
Rusia
Italy
GermanyFP7G75US60
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FP7G75US60
Explicación
IGBT
Descripción detallada
IGBT Module Half Bridge 600 V 75 A 310 W Chassis Mount EPM7
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
10
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
Power-SPM™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
IGBT Type
-
Configuration
Half Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
Current - Collector (Ic) (Max)
75 A
Power - Max
310 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)
250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
4.515 nF @ 30 V
Input
Standard
NTC Thermistor
No
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
EPM7
Supplier Device Package
EPM7
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
FAIFSCFP7G75US60
2156-FP7G75US60-FS
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Fairchild Semiconductor FP7G75US60
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FP7G75US60)
Cantidad y precio
Cantidad: 10
Precio unitario: $32.1
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 10
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 10
Alternativas
-