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GermanyBUK652R3-40C,127
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BUK652R3-40C,127
Explicación
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Descripción detallada
N-Channel 40 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
15100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
306W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
BUK65
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
954-BUK652R3-40C127
BUK652R340C127
568-7492-5
2156-BUK652R3-40C127
NEXNXPBUK652R3-40C,127
934064467127
BUK652R3-40C,127-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. BUK652R3-40C,127
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BUK652R3-40C)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(MCU Dip Supply Situation 12/May/2015)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
Cantidad y precio
Cantidad: 224
Precio unitario: $1.34
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 224
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 224
Alternativas
-