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GermanyIRFI9520N
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFI9520N
Explicación
MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220-3
Descripción detallada
P-Channel 100 V 5.5A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base Product Number
IRFI9520
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFI9520N
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFI9520N)
HTML Datasheet
1(IRFI9520N)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-