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GermanyIRF1010EZLPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRF1010EZLPBF
Explicación
MOSFET N-CH 60V 75A TO262
Descripción detallada
N-Channel 60 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2810 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
140W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
*IRF1010EZLPBF
SP001574512
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF1010EZLPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRF1010EZ (S,L) PbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(IRF1010EZ (S,L) PbF)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRF1010EZPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 10,268
Precio unitario : $1.62000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 10,268
Precio unitario : $1.62000
Tipo de reemplazo : Similar